Новости отрасли

Ученые Казанского национального исследовательского технического университета имени А. Н. Туполева - КАИ (КНИТУ-КАИ) разработали и запатентовали датчик для измерения влажности почвы. Конструкция прибора не требует дополнительных исследований и специального оборудования, сообщили ТАСС в пресс-службе Минобрнауки РФ.
Принцип работы устройства основан на зависимости протекания тока от свойств среды: в сухой почве ток будет очень малым из-за высокого сопротивления, во влажной - возрастает. "В предлагаемом устройстве обеспечивается прохождение тока между двумя электродами через репрезентативный слой грунта - остается только замерить величину тока", - приводит пресс-служба слова доцента кафедры общей химии и экологии КНИТУ-КАИ Идгая Мингазетдинова.
Датчик выполнен в виде "стакана" с днищем и крышкой, на которой закреплена рукоятка. По центру установлен стержневой электрод с острым керамическим наконечником, чтобы ток шел именно через боковой слой грунта. Наружный электрод представляет собой вертикально-решетчатую стенку в виде винтовых спиральных плоских элементов, которые легко ввинчиваются в грунт при повороте рукоятки. Почва загребается внутрь и уплотняется, уменьшая количество пустот, что важно для точности измерений. Спицы на нижнем днище с острыми гранями режут и дробят комки грунта, обеспечивая однородную массу.

Когда датчик ввинчен в грунт, между центральным и наружным электродами подается напряжение от внешнего источника (сети, аккумулятора или батареи). Величину тока определяют по показаниям амперметра или калиброванного измерителя, а фактическую влажность грунта высчитывают по эталонным номограммам.
В отличие от существующих аналогов, где влагочувствительный элемент выполнен в виде винтовой спирали с гигроскопическим раствором, а для получения результата требуется измерять высоту столба жидкости с использованием лупы, разработка казанских ученых не требует привлечения специальной измерительной лаборатории и предварительной подготовки среды. На изобретение получен патент Федеральной службы по интеллектуальной собственности Источник: ТАСС