Новости отрасли

Ученые Томского госуниверситета разработали диоды четвертого поколения на основе оксида галлия. Сфера их применения — энергоэффективные зарядные устройства, высокомощные блоки питания, схемы управления автомобильными электродвигателями и другая силовая электроника.

Эти детали должны будут заменить устаревающие диоды на основе нитрида галлия и кремния и существенно превосходят их по ряду показателей. Так, пробивное напряжение новых диодов превышает 1000 вольт. Лабораторные образцы уже прошли первые испытания, и теперь разработчики занимаются оптимизацией производственных процессов, сообщила пресс-служба вуза.

Источник: наука.рф